HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-laye的缩写，意为本征薄膜异质结.HIT太阳能电池是以光照射侧的p/i型a-si膜（膜厚5~10nm）和背面侧的i/n型a-si膜（膜厚5~10nm）夹住单结晶Si片的来组成的.HIT电池是日本Sanyo公司发明的异质结电池的一种，其特点是再发射极和背面高浓度掺杂层与基片之间添加了一层本征非晶硅层。 HIT电池生长历史 >1968年，第一个a-Si/c-Si异质结器件。 >1974年，第一个氢化非晶硅器件。（a- Si:H，H钝化，镌汰缺陷） >1983年，第一个太阳能电池。 >2010年，转换效率抵达23%。

 HIT电池

电池基板以硅基板为主

；在硅基板上沉积高能隙（Energy band gap） 的硅奈米薄膜，表层再沉积透明导电膜，背外貌有着背外貌电场。 通过优化硅的外貌织构，可以降低透明导电氧化层（TCO）和a-Si层的光学吸收消耗。HIT电池抑制了p型、i型a-Si的光吸收率，而增强n型c-Si的光吸收率。 HIT 电池手艺上的优势 由于HIT太阳能电池使用a-Si组成pn结，以是能够在200℃以下的低温完成整个工序。和原来的热扩散型的结晶太阳电池的形成温度（~900℃）相较量，大幅度地降低了制造工艺的温度。由于这种对称结构和低温工艺的特征，镌汰了因热量或者膜形成时爆发的Si晶片的变形和热损伤，对实现晶片的轻薄化和高效化来说是有利的，具有业界领先的高转换效率（研究室水平为23%，量产水平为20%），纵然在高温下，转换效率也少少降低，使用双面单位来提高发电量。